Infineon OptiMOS N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 25 A, 8-Pin PQFN 3 x 3

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
220-7359
Herst. Teile-Nr.:
BSZ0910NDXTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

25 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PQFN 3 x 3

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

0,0095 O

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Die Infineon OptiMOS-Technologie in Kombination mit dem PQFN-3.0-x-3,0-mm-Gehäuse bietet eine optimierte Lösung für DC/DC-Anwendungen mit platzkritischen Anforderungen. Die 30-V-Halbbrücke BSZ0910ND OptiMOS passt perfekt in drahtlose Lade- und Laufwerksarchitekturen (z. B. mehradrig), in denen Entwickler das Layout vereinfachen und Platz sparen möchten, ohne Kompromisse bei der Effizienz einzugehen.

Symmetrische Halbbrücke mit sehr niedrigem RDS(on) in einem kleinen 3,0 X 3,0 mm Gehäusekontur
Freiliegende Pads
Logikpegel (4,5 V Nennspannung)
Niedrige Schaltverluste
Betrieb mit hoher Schaltfrequenz
Niedrigster parasitärer Wert
Niedrige Betriebstemperatur
Niedrige Gate-Antriebsverluste