Infineon CoolMOS™ IPD60R170CFD7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 51 A, 3-Pin TO-252

Der Infineon 600 V Cool MOS CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Technologie von Infineon mit integrierter schneller Gehäusediode, die die Cool MOS 7-Serie kompletzt. Cool MOS CFD7 kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als die Konkurrenz sowie der niedrigsten Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.

Ultraschnelle Gehäusediode
Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)
Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit
Niedrigster FOM RDS(on) x Qg und Eoss
Erstklassige RDS(on)/Gehäusekombinationen
Erstklassige Robustheit bei harter Kommutierung
Höchste Zuverlässigkeit für resonante Topologien
Höchste Effizienz mit herausragendem Bedienkomfort/Leistungs-Kompromiss
Ermöglicht Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte