Infineon CoolMOS N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 800 V / 18 A, 3-Pin IPAK (TO-251)
- RS Best.-Nr.:
- 220-7447
- Herst. Teile-Nr.:
- IPU80R1K0CEAKMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 1,514 € | 15,14 € |
| 20 - 90 | 1,386 € | 13,86 € |
| 100 - 240 | 1,279 € | 12,79 € |
| 250 - 490 | 1,187 € | 11,87 € |
| 500 + | 1,154 € | 11,54 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-7447
- Herst. Teile-Nr.:
- IPU80R1K0CEAKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 18 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Gehäusegröße | IPAK (TO-251) | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,95 O | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.9V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 18 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 800 V | ||
Serie CoolMOS | ||
Gehäusegröße IPAK (TO-251) | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,95 O | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.9V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Die Infineon 800V Cool MOS CE ist die Hochleistungs-Gerätefamilie von Infineon mit 800 Volt Abschaltspannung. Der CE richtet sich sowohl an Unterhaltungselektronikanwendungen als auch an Beleuchtungsanwendungen. Die neue 800-V-Auswahlserie richtet sich speziell an LED-Anwendungen. Mit dieser speziellen Cool MOS-Familie kombiniert Infineon lange Erfahrung als führender Super Junction MOSFET-Anbieter mit erstklassiger Innovation.
Niedriger spezifischer Widerstand im eingeschalteten Zustand (R DS(on) * A)
Sehr geringe Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss) @ 400 V
Niedrige Gateladung (Q g)
Bewährte Cool MOS TM-Qualität
Hoher Wirkungsgrad und Leistungsdichte
Hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis
Hohe Zuverlässigkeit
Einfache Bedienung
Sehr geringe Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss) @ 400 V
Niedrige Gateladung (Q g)
Bewährte Cool MOS TM-Qualität
Hoher Wirkungsgrad und Leistungsdichte
Hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis
Hohe Zuverlässigkeit
Einfache Bedienung