Infineon CoolMOS N-Kanal Dual, THT MOSFET Transistor & Diode 800 V / 18 A, 3-Pin IPAK (TO-251)
- RS Best.-Nr.:
- 220-7447
- Herst. Teile-Nr.:
- IPU80R1K0CEAKMA1
- Marke:
- Infineon
Bestandsabfrage leider nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 220-7447
- Herst. Teile-Nr.:
- IPU80R1K0CEAKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 18 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 800 V | |
| Gehäusegröße | IPAK (TO-251) | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,95 O | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.9V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 18 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 800 V | ||
Gehäusegröße IPAK (TO-251) | ||
Serie CoolMOS | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,95 O | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.9V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Die Infineon 800V Cool MOS CE ist die Hochleistungs-Gerätefamilie von Infineon mit 800 Volt Abschaltspannung. Der CE richtet sich sowohl an Unterhaltungselektronikanwendungen als auch an Beleuchtungsanwendungen. Die neue 800-V-Auswahlserie richtet sich speziell an LED-Anwendungen. Mit dieser speziellen Cool MOS-Familie kombiniert Infineon lange Erfahrung als führender Super Junction MOSFET-Anbieter mit erstklassiger Innovation.
Niedriger spezifischer Widerstand im eingeschalteten Zustand (R DS(on) * A)
Sehr geringe Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss) @ 400 V
Niedrige Gateladung (Q g)
Bewährte Cool MOS TM-Qualität
Hoher Wirkungsgrad und Leistungsdichte
Hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis
Hohe Zuverlässigkeit
Einfache Bedienung
Sehr geringe Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss) @ 400 V
Niedrige Gateladung (Q g)
Bewährte Cool MOS TM-Qualität
Hoher Wirkungsgrad und Leistungsdichte
Hervorragendes Preis-Leistungs-Verhältnis
Hohe Zuverlässigkeit
Einfache Bedienung