Infineon HEXFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 25 V / 37 A DirectFET ISOMETRISCH

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RS Best.-Nr.:
220-7475
Herst. Teile-Nr.:
IRF6715MTRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

37 A

Drain-Source-Spannung max.

25 V

Gehäusegröße

DirectFET ISOMETRISCH

Serie

HEXFET

Montage-Typ

SMD

Drain-Source-Widerstand max.

0,0013 O

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

20V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.

Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
SMD-Gehäuse nach Industriestandard
Hoher Nennstrom
Große Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Industriestandard-Qualifikationsebene
Die Standard-Pinbelegung ermöglicht den Austausch
Hohe Strombelastbarkeit