Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 100 V / 73 A 190 W, 2-Pin TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
IRFS4610TRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

73A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

2

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

140nC

Maximale Verlustleistung Pd

190W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.67mm

Breite

4.83mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

9.65mm

Automobilstandard

Nein

Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie von Infineon ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler.

Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Produktqualifikation nach JEDEC-Standard

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Hoher Nennstrom

Große Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Industriestandard-Qualifikationsebene

Die Standard-Pinbelegung ermöglicht den Austausch

Hohe Strombelastbarkeit

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