onsemi NTB5D0N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 139 A 214 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 221-6694P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTB5D0N15MC
- Marke:
- onsemi
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- NTB5D0N15MC
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 139A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | NTB5D0N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 75nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 15.88mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 4.83 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 139A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie NTB5D0N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 75nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 15.88mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 4.83 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor 150 V Leistungs-MOSFET verwendete 139 A Ableitstrom, der mit einem N-Kanal verwendet wurde. Er wird mit einem Advanced Power Trench Prozess hergestellt, der eine geschirmte Gate-Technologie umfasst. Sie verfügt über branchenweit niedrigste Qrr- und weichste Gehäusediode für eine hervorragende rauscharme Schaltung.
Max. RDS(on) 5,0 m bei VGS bei 10 V
50 % geringerer Qrr als andere MOSFET-Lieferanten
Niedriges Schaltgeräusch/EMI
100 % UIL-geprüft