onsemi NTH4LN067N Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 40 A 266 W, 4-Pin TO-247

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
221-6709
Herst. Teile-Nr.:
NTH4LN067N65S3H
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

NTH4LN067N

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

67mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

266W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

22.74mm

Breite

5.2 mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

15.8mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor SuperFET III MOSFET verfügt über eine Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie, die Ladungsausgleichstechnologie für einen hervorragenden niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine geringere Gate-Ladungsleistung nutzt. Diese Advanced Technology ist auf die Minimierung von Leitungsverlusten ausgelegt, bietet eine überlegene Schaltleistung und hält extremen dv/dt-Rate stand.

Extrem niedrige Gate-Ladung

Niedrige effektive Ausgangskapazität 691 pF

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Verwandte Links