onsemi NTMFS006N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 93 A 104 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 221-6722
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS006N12MCT1G
- Marke:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
17,93 €
(ohne MwSt.)
21,34 €
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 60 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Nur noch Restbestände
- Letzte 250 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,793 € | 17,93 € |
| 100 - 240 | 1,546 € | 15,46 € |
| 250 + | 1,34 € | 13,40 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 221-6722
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS006N12MCT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 93A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Serie | NTMFS006N | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 6.3mm | |
| Breite | 1.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 93A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Serie NTMFS006N | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 6.3mm | ||
Breite 1.1 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor N-Kanal-MV-MOSFET wird mit Advanced Power Trench Process mit Shielded Gate Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
Niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten