onsemi NTMFS4D2N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 113 A 132 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 221-6732
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS4D2N10MDT1G
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,57 € | 12,85 € |
| 50 - 95 | 2,216 € | 11,08 € |
| 100 + | 1,92 € | 9,60 € |
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- 221-6732
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS4D2N10MDT1G
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 113A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Serie | NTMFS4D2N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 60nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 132W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.85V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 6.3mm | |
| Länge | 5.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 113A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Serie NTMFS4D2N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 60nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 132W | ||
Durchlassspannung Vf 0.85V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 6.3mm | ||
Länge 5.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor N-Kanal-MV-MOSFET wird mit einem Advanced Power Trench Prozess mit geschirmter Gate-Technologie hergestellt. Dieser Prozess wurde optimiert, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung mit sehr niedrigem Qg und Qoss aufrechtzuerhalten.
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
Low Qrr, Soft-Recovery-Gehäusediode