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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	268A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	DFN
	Serie	NVMFS5C420NWFT
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	5
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.1mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	82nC
	Maximale Verlustleistung Pd	150W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	AEC-Q101
	Länge	6.3mm
	Breite	1.1 mm
	Höhe	5.3mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 268A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße DFN
	Serie NVMFS5C420NWFT
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 5
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.1mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 82nC
	Maximale Verlustleistung Pd 150W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen AEC-Q101
	Länge 6.3mm
	Breite 1.1 mm
	Höhe 5.3mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - NVMFS5C420NWFT1G

Der on Semiconductor MOSFET für die Kfz-Versorgung in einem 5 x 6 mm flachen Kabelgehäuse, das für kompakte und effiziente Designs und einschließlich hoher Wärmeleistung entwickelt wurde. Es ist für verbesserte optische Inspektion erhältlich. AEC-Q101-fähiger MOSFET und PPAP-fähig, geeignet für Kfz-Anwendungen.

Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten

Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

onsemi NVMFS5C420NWFT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 268 A 150 W, 5-Pin DFN

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