DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.6 A 1.1 W, 6-Pin TSOT-26
- RS Best.-Nr.:
- 222-2827
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2053UVTQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,279 € | 6,98 € |
| 50 - 75 | 0,273 € | 6,83 € |
| 100 - 225 | 0,141 € | 3,53 € |
| 250 - 975 | 0,138 € | 3,45 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 222-2827
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2053UVTQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | TSOT-26 | |
| Serie | DMN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.035Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße TSOT-26 | ||
Serie DMN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.035Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der zweifache N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
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