DiodesZetex Doppelt DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 3.1 A 1.29 W, 6-Pin UDFN-2020
- RS Best.-Nr.:
- 222-2852P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2045UFDB-7
- Marke:
- DiodesZetex
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
18,60 €
(ohne MwSt.)
22,15 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 2.725 Einheit(en) mit Versand ab 12. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 75 | 0,372 € |
| 100 - 225 | 0,236 € |
| 250 - 975 | 0,232 € |
| 1000 + | 0,166 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-2852P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP2045UFDB-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | UDFN-2020 | |
| Serie | DMP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.09Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.29W | |
| Durchlassspannung Vf | -0.75V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.8nC | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße UDFN-2020 | ||
Serie DMP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.09Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.29W | ||
Durchlassspannung Vf -0.75V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.8nC | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
Der zweifache P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen macht.
Leiterplattenmaß von 4 mm²
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität