DiodesZetex DMT N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 14.1 A 2.1 W, 6-Pin UDFN

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RS Best.-Nr.:
222-2866P
Herst. Teile-Nr.:
DMT3006LFDFQ-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

14.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

DMT

Gehäusegröße

UDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.1W

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

8.4nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

2.05mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

630μm

Länge

2.05mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Es ist gemäß AEC-Q101 zugelassen und wird von einem PPAP unterstützt.

Leiterplattenmaß von 4 mm²

Niedrige Gate-Schwellenspannung

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform

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