DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 10.6 A 16 W, 8-Pin VDFN-3030
- RS Best.-Nr.:
- 222-2868P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT3009UDT-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- DMT3009UDT-7
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- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | VDFN-3030 | |
| Serie | DMT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.011Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14.6nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 16W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße VDFN-3030 | ||
Serie DMT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.011Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.6nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 16W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
Der zweifache n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Extrem niedrige Gate-Schwellenspannung
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit