DiodesZetex Doppelt DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 21.2 A 2 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- RS Best.-Nr.:
- 222-2875P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT4015LDV-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- Herst. Teile-Nr.:
- DMT4015LDV-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 21.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | DMT | |
| Gehäusegröße | PowerDI3333-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.02Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 21.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie DMT | ||
Gehäusegröße PowerDI3333-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.02Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.6nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200 | ||
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
ESD-geschütztes Gate