DiodesZetex DMT DMT6015LFVW-7 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 31,8 A, 8-Pin PowerDI3333-8
- RS Best.-Nr.:
- 222-2877
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6015LFVW-7
- Marke:
- DiodesZetex
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Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 25)
0,444 €
(ohne MwSt.)
0,528 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,444 € | 11,10 € |
| 50 - 75 | 0,435 € | 10,875 € |
| 100 - 225 | 0,31 € | 7,75 € |
| 250 - 975 | 0,302 € | 7,55 € |
| 1000 + | 0,197 € | 4,925 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 222-2877
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6015LFVW-7
- Marke:
- DiodesZetex
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Thermisch effizientes Gehäuse mit kleinem Formfaktor ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte
Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion
Thermisch effizientes Gehäuse mit kleinem Formfaktor ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte
Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 31,8 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | PowerDI3333-8 |
| Serie | DMT |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,016 O |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.5V |
| Transistor-Werkstoff | Kunststoff |
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