DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 31.8 A 28.4 W, 8-Pin PowerDI3333
- RS Best.-Nr.:
- 222-2877
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6015LFVW-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- 222-2877
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6015LFVW-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerDI3333 | |
| Serie | DMT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 16mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 28.4W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 3.3mm | |
| Länge | 3.05mm | |
| Breite | 0.8 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerDI3333 | ||
Serie DMT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 16mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 28.4W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 3.3mm | ||
Länge 3.05mm | ||
Breite 0.8 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Thermisch effizientes Gehäuse mit kleinem Formfaktor ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte
Benetzbare Flanke für verbesserte optische Inspektion
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