DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 16.1 A 2.16 W, 8-Pin VDFN

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RS Best.-Nr.:
222-2880
Herst. Teile-Nr.:
DMT64M8LCG-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

DMT

Gehäusegröße

VDFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

2.16W

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

47.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

0.8 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.3mm

Höhe

3.3mm

Automobilstandard

Nein

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um RDS(ON) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung zu gewährleisten. Dieses Gerät ist ideal für den Einsatz in der Batterie- und Lastschaltung von Notebooks.

Hohe Effizienz bei der Wandlung

Niedriger RDS(ON) – minimiert Verluste im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

ESD-geschütztes Gate

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