ROHM Doppelt SP8M5 Typ N, Typ P-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 3 A 2 W, 8-Pin SOP

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RS Best.-Nr.:
222-4383
Herst. Teile-Nr.:
SP8M51HZGTB
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Serie

SP8M5

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Montageart

Oberfläche

Produkt Typ

MOSFET

Drain-Source-Spannung (Vds) max.

100 V

Channel-Modus

Erweiterung

kontinuierlicher Drainstrom max. (Id)

3 A

Maximale Verlustleistung (Pd)

2 W

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOP

Automobilstandard

AEC-Q101

Durchlassspannung (Vf)

1.2 V

Höhe

1.75 mm

Länge

5 mm

Drain-Source-Widerstand (Rds) max.

29 mΩ

Gate-Source-spannung max (Vgs)

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Normen/Zulassungen

No

Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs

12.5 nC

Breite

6 mm

The ROHM SP8M51HZG dual (Nch+Pch) power misfit for switching power supply.

Low on-resistance

Small Surface Mount Package (SOP8)

Pb-free lead plating ; RoHS compliant

Halogen Free

Sn100% plating

AEC-Q101 Qualified

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