Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 50 V Erweiterung / 3 A, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 222-4608P
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF7103QTR
- Marke:
- Infineon
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 50V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 130mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 50V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 130mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das Infineon Design der HEXFET ® Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.
Fortschrittliche Planartechnologie
Zweifach-N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand
Logikebenen-Gate-Antrieb
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