Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4,7 A, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 222-4610
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF7309QTR
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4610
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF7309QTR
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 4,7 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,16 Ω | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Silicon | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 4,7 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,16 Ω | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Silicon | ||
Das Infineon Design der HEXFET ® Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.
Fortschrittliche Planartechnologie
Zweifach-N-Kanal-MOSFET mit niedrigem Betriebswiderstand
Logikebenen-Gate-Antrieb
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