Infineon OptiMOSTM3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 20 A, 8-Pin PQFN 3 x 3
- RS Best.-Nr.:
- 222-4632
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ0909NDXTMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4632
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ0909NDXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 20 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Serie | OptiMOSTM3 | |
| Gehäusegröße | PQFN 3 x 3 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,018 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Transistor-Werkstoff | Silicon | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 20 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Serie OptiMOSTM3 | ||
Gehäusegröße PQFN 3 x 3 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,018 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Transistor-Werkstoff Silicon | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Bleifreie Leitungsbeschichtung
RoHS-konform
Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23
Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23