Infineon CoolMOS™ N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 9 A, 3-Pin TO-220 FP

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RS Best.-Nr.:
222-4642
Herst. Teile-Nr.:
IPA60R180C7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

9 A

Drain-Source-Spannung max.

650 V

Gehäusegröße

TO-220 FP

Serie

CoolMOS™

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

0,18 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Transistor-Werkstoff

Silicon

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Das Infineon Design von Cool MOS TM C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V Cool MOS TM C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Der 600 V C7 ist die erste Technologie, die jemals mit RDS(on) * A unter 1 Ohm * mmmmmmmmmmmmmm² verwendet wurde.

Geeignet für Rückleitung

Niedrige Gate-Ladung, niedrige Ausgangsladung

Überlegene Kommutierungsbeständigkeit

Zugelassen für Standardanwendungen gemäß JEDEC-Standards

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