Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 30 A 136 W, 3-Pin TO-252

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RS Stock No.:
222-4664P
Mfr. Part No.:
IPD30N06S215ATMA2
Brand:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

14.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

136W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22 mm

Höhe

2.3mm

Länge

6.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

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