Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 90 A 144 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 222-4679P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD90N08S405ATMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (50 Stück, auf Gurtabschnitt geliefert)*
133,70 €
(ohne MwSt.)
159,10 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- Zusätzlich 11.390 Einheit(en) mit Versand ab 28. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 120 | 2,674 € |
| 125 - 245 | 2,614 € |
| 250 - 495 | 2,422 € |
| 500 + | 2,248 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4679P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD90N08S405ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 144W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22mm | |
| Länge | 6.5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 144W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22mm | ||
Länge 6.5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Green Product (RoHS-konform)
MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow AEC Q101-zertifiziert
OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen