Infineon CoolMOS N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 12,7 A, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 222-4684
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN70R1K0CEATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 222-4684
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN70R1K0CEATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 12,7 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 700 V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Transistor-Werkstoff | Silicon | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 12,7 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 700 V | ||
Serie CoolMOS | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Transistor-Werkstoff Silicon | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist
Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard
Integrierte ESD-Schutzdiode mit geringen Schaltverlusten (Eoss)
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Integrierte ESD-Schutzdiode mit geringen Schaltverlusten (Eoss)
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten