Infineon CoolMOS N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 12,7 A, 3-Pin SOT-223

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

1.377,00 €

(ohne MwSt.)

1.638,00 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +0,459 €1.377,00 €

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
222-4684
Herst. Teile-Nr.:
IPN70R1K0CEATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

12,7 A

Drain-Source-Spannung max.

700 V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

SOT-223

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

1 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

3.5V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Silicon

Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist

Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard
Integrierte ESD-Schutzdiode mit geringen Schaltverlusten (Eoss)
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten