Infineon CoolMOS N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 12,7 A, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 222-4685
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN70R1K0CEATMA1
- Marke:
- Infineon
Bestandsabfrage leider nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 222-4685
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN70R1K0CEATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 12,7 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 700 V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Transistor-Werkstoff | Silicon | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 12,7 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 700 V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 1 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Transistor-Werkstoff Silicon | ||
Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist
Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard
Integrierte ESD-Schutzdiode mit geringen Schaltverlusten (Eoss)
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Integrierte ESD-Schutzdiode mit geringen Schaltverlusten (Eoss)
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten