Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 68 A DirectFET ISOMETRIC

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
222-4741
Herst. Teile-Nr.:
IRF6712STRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

68 A

Drain-Source-Spannung max.

25 V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

DirectFET ISOMETRIC

Montage-Typ

SMD

Drain-Source-Widerstand max.

0,0087 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

2.4V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

Silicon

Das Infineon Design der HEXFET ® Power MOSFET-Siliziumtechnologie mit Advanced Direct FETTM-Gehäuse, um den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in einem Gehäuse zu erreichen, das die Abmessungen eines SO-8- und nur 0,7-mm-Profils aufweist. Das DirectFET-Gehäuse ist kompatibel mit vorhandenen Layoutgeometrien, die in Stromversorgungsanwendungen, Leiterplattenmontagegeräten und Dampfphasen-, Infrarot- oder Konvektionslötverfahren verwendet werden, wenn der Anwendungshinweis AN-1035 bezüglich der Herstellungsmethoden und -verfahren befolgt wird.

100 % Rg-geprüfte geringe Induktions- und Schaltverluste
Extrem niedrige Gehäuseinduktivität, ideal für CPU-Kern-DC/DC-Wandler