Littelfuse LSIC1MO170T0750 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1700 V / 4.5 A 65 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
223-3051P
Herst. Teile-Nr.:
LSIC1MO170T0750-TU
Marke:
Littelfuse
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Marke

Littelfuse

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1700V

Serie

LSIC1MO170T0750

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

750mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Durchlassspannung Vf

3.6V

Maximale Verlustleistung Pd

65W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

10.18mm

Höhe

16.18mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.28 mm

Automobilstandard

Nein

Die neuen 1700V-Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) von Littelfuse mit 750 mOhm werden im TO-263-7L-Gehäuse präsentiert. Der getrennte Quellstift verringert den parasitären Quellinduktivitätsweg zum Treiber erheblich, was zur Verbesserung der Effizienz in Hochleistungsanwendungen beiträgt. Die maximale Betriebstemperatur der Anschlussstelle beträgt 175 °C.

Diese MOSFETs sind ideal für Hochfrequenzanwendungen, bei denen ein hoher Wirkungsgrad gewünscht ist.

Optimiert für hochfrequente, hocheffiziente Anwendungen

Extrem niedrige Gate-Ladung und -Ausgang

Kapazität

Niedriger Gate-Widerstand für Hochfrequenzschaltung

Normalerweise abgeschalteter Betrieb bei allen Temperaturen

Extrem niedriger Einschaltwiderstand

Optimiertes Gehäuse mit separatem Treiberquellen-Pin

MSL 1-Nennwert

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