ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 3.5 A 1.5 W, 8-Pin TSMT

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223-6207
Herst. Teile-Nr.:
QH8JC5TCR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TSMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.91Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17.3nC

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.3mm

Breite

2.8 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.85mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den TO-3PF-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.

Schnelle Umkehr-Wiederherstellungszeit (trr)

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Einfache Antriebskreise möglich

Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform

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