ROHM RW4E045AT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 30 V / 4.5 A 1.5 W, 7-Pin DFN

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RS Best.-Nr.:
223-6387
Herst. Teile-Nr.:
RW4E045ATTCL1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

RW4E045AT

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

480mΩ

Channel-Modus

P

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

1.5W

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den Gehäusetyp TO-220AB. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Kleines vergossenes Hochleistungsgehäuse

Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform

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