ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 7.5 A 2 W, 8-Pin SOP

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223-6393
Herst. Teile-Nr.:
SH8JC5TB1
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.32Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

50nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Höhe

1.75mm

Breite

6 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der Rohm Leistungs-MOSFET hat den DFN2020-8D-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich zum Schalten verwendet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse

Bleifreie Beschichtung, RoHS-konform

Halogenfrei

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