ROHM Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 2.5 A 2 W, 7-Pin DFN

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223-6398P
Herst. Teile-Nr.:
UT6JC5TCR
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.3nC

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Breite

2mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2mm

Höhe

0.65mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der Rohm-MOSFET für kleines Signal hat den DFN1010-3W-Gehäusetyp. Er wird hauptsächlich für Schaltkreise, High-Side-Lastschalter und Relaistreiber verwendet.

Extrem kleines und freiliegendes Ableitungspad ohne Kabel für ausgezeichnete Wärmeleitung, SMD-Kunststoffgehäuse

Seitliche benetzbare Flansche für automatisierte optische Lötinspektion

AEC-Q101-qualifiziert

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