Infineon BSS169I N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 190 mA, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 225-0565
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS169IXTSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 225-0565
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS169IXTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 190 mA | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | BSS169I | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | Depletion | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.8V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 190 mA | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie BSS169I | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus Depletion | ||
Gate-Schwellenspannung max. 1.8V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Die Infineon BSS169I ist ein kleines Signal, kleine Leistungs-N- und P-Kanal-MOSFETs bieten eine Vielzahl von VGS(th)-Pegeln und RDS(on)-Werten sowie mehrere Spannungsklassen. Dieser MOSFET verfügt über Anreicherungs- und Abarmungsmodus-Optionen.
Platz auf der Leiterplatte und Kosteneinsparungen
Torantriebsflexibilität
Geringere Designkomplexität
Umweltfreundlich
Hoher Gesamtwirkungsgrad
Torantriebsflexibilität
Geringere Designkomplexität
Umweltfreundlich
Hoher Gesamtwirkungsgrad