Infineon FF11MR12W1M1 N-Kanal Dual, Schraub MOSFET-Modul 1200 V / 100 A AG-EASY1B.
- RS Best.-Nr.:
- 225-0567
- Herst. Teile-Nr.:
- FF11MR12W1M1B70BPSA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 225-0567
- Herst. Teile-Nr.:
- FF11MR12W1M1B70BPSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1200 V | |
| Serie | FF11MR12W1M1 | |
| Gehäusegröße | AG-EASY1B. | |
| Montage-Typ | Schraubmontage | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5.55V | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1200 V | ||
Serie FF11MR12W1M1 | ||
Gehäusegröße AG-EASY1B. | ||
Montage-Typ Schraubmontage | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5.55V | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Das Infineon FF11MR12W1M1 ist das Halbbrückenmodul mit 1200 V, 11 mΩ und CoolSiC MOSFET. Dieses Modul hat einen hohen Freiheitsgrad für den Wechselrichter. Dieses Modul hat eine bessere Wärmeleitfähigkeit von DCB-Material.
Niedrige Schaltverluste
Geringe induktive Bauweise
Hohe Stromdichte
Geringe induktive Bauweise
Hohe Stromdichte