Infineon FF6MR12W2M1 N-Kanal, Schraub MOSFET-Modul 1200 V / 200 A AG-EASY2B.
- RS Best.-Nr.:
- 225-0569
- Herst. Teile-Nr.:
- FF6MR12W2M1B70BPSA1
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 225-0569
- Herst. Teile-Nr.:
- FF6MR12W2M1B70BPSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 200 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1200 V | |
| Gehäusegröße | AG-EASY2B. | |
| Serie | FF6MR12W2M1 | |
| Montage-Typ | Schraubmontage | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5.55V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 200 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1200 V | ||
Gehäusegröße AG-EASY2B. | ||
Serie FF6MR12W2M1 | ||
Montage-Typ Schraubmontage | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5.55V | ||
Das Infineon FF6MR12W2M1 ist das 6-mΩ-Halbbrückenmodul mit CoolSiC MOSFET. Dieses Modul hat einen hohen Freiheitsgrad für den Wechselrichter. Dieses Modul hat eine bessere Wärmeleitfähigkeit von DCB-Material.
Niedrige Schaltverluste
Geringe induktive Bauweise
Hohe Stromdichte
Geringe induktive Bauweise
Hohe Stromdichte