Vishay N-Channel 80-V SIJH800E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 299 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 l

RS Best.-Nr.:: 225-9921
Herst. Teile-Nr.:: SIJH800E-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay N-Channel 80-V SIJH800E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 299 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 l

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20 - 48	4,10 €	8,20 €
50 - 98	3,325 €	6,65 €
100 - 198	3,02 €	6,04 €
200 +	2,505 €	5,01 €

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RS Best.-Nr.:: 225-9921
Herst. Teile-Nr.:: SIJH800E-T1-GE3
Marke:: Vishay

Datasheet - SIJH800E-T1-GE3

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	299 A
Drain-Source-Spannung max.	80 V
Gehäusegröße	PowerPAK 8 x 8 l
Serie	N-Channel 80-V
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	4
Drain-Source-Widerstand max.	0,0018 Ω
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Anzahl der Elemente pro Chip	1

Vishay N-Channel 80-V SIJH800E-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 299 A, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 l

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