Vishay N-Channel 80 V Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 299 A 3.3 W, 4-Pin PowerPAK (8x8L)

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RS Best.-Nr.:
225-9921
Herst. Teile-Nr.:
SIJH800E-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

299A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

N-Channel 80 V

Gehäusegröße

PowerPAK (8x8L)

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.8mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

210nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

3.3W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.9 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

8mm

Länge

8.1mm

Automobilstandard

Nein

Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

Vollständig bleifreies Gerät (Pb)

Optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/Qgs-Verhältnis verringert Leistungsverlust beim Schalten

50 % geringere Abmessungen als D2PAK (TO-263)

100 % Rg- und UIS-geprüft

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