Vishay N-Channel 100 V N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 9 A 13.6 W, 7-Pin SC-70
- RS Best.-Nr.:
- 225-9941P
- Herst. Teile-Nr.:
- SQA700CEJW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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|---|---|
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| 500 - 1200 | 0,298 € |
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- SQA700CEJW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | N-Channel 100 V | |
| Gehäusegröße | SC-70 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 990mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 860mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 13.6W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 2.05mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 | |
| Breite | 2.05mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie N-Channel 100 V | ||
Gehäusegröße SC-70 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 990mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 860mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 13.6W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 2.05mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 | ||
Breite 2.05mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.
TrenchFET Leistungs-MOSFET
AEC-Q101-qualifiziert
Benetzbare Flankenklemmen
100 % Rg- und UIS-geprüft