- RS Best.-Nr.:
- 225-9946
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ128ELP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.
Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
1,218 €
(ohne MwSt.)
1,449 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
---|---|---|
10 - 90 | 1,218 € | 12,18 € |
100 - 240 | 1,181 € | 11,81 € |
250 - 490 | 1,121 € | 11,21 € |
500 - 990 | 1,072 € | 10,72 € |
1000 + | 1,01 € | 10,10 € |
*Bitte VPE beachten
- RS Best.-Nr.:
- 225-9946
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJ128ELP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Die Vishay Siliconix verwaltet Zuverlässigkeitsdaten für Halbleitertechnologie und die Gehäuse-Zuverlässigkeit stellen einen Verbund aller qualifizierten Standorte dar.
AEC-Q101-qualifiziert
100 % Rg- und UIS-geprüft
Dünnes 1,6-mm-Gehäuse
Sehr niedriger Wärmewiderstand
100 % Rg- und UIS-geprüft
Dünnes 1,6-mm-Gehäuse
Sehr niedriger Wärmewiderstand
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 437 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Serie | N-Channel 30 V |
Gehäusegröße | PowerPAK 8 x 8 l |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 4 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,002 Ω |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.2V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Verwandte Produkte
- Vishay N-Channel 30 V SQJ128ELP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V /...
- Vishay N-Channel 60 V SQJA16EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V /...
- Vishay N-Channel 80 V SQJ180EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V /...
- Vishay N-Channel 60 V SQJ174EP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V /...
- Vishay N-Channel 60 V SQJ164ELP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V /...
- Vishay N-Channel 40 V SQJ138ELP-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V /...
- Vishay N-Channel 60 V SQJQ160E-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V /...
- Vishay P-Channel 30 V SQJQ131EL-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V /...