Vishay E Series N-Kanal Dual, THT MOSFET 850 V / 15 A, 3-Pin TO-247AC

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RS Best.-Nr.:
228-2865
Herst. Teile-Nr.:
SiHG17N80AEF-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

15 A

Drain-Source-Spannung max.

850 V

Gehäusegröße

TO-247AC

Serie

E Series

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

0,305 Ω

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Transistor-Werkstoff

Si

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

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