Vishay E Series N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 850 V Erweiterung / 15 A, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 228-2865
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHG17N80AEF-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SiHG17N80AEF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Serie | E Series | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 850 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 15 A | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 0.305 Ω | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Serie E Series | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 850 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 15 A | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 0.305 Ω | ||
The Vishay E Series Power MOSFET reduced switching and conduction losses.
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
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