Vishay E Series Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 850 V Erweiterung / 15 A, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 228-2865
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHG17N80AEF-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 25 + | 1,219 € | 30,48 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 228-2865
- Herst. Teile-Nr.:
- SiHG17N80AEF-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 850V | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Serie | E Series | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.305Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 850V | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Serie E Series | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.305Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Der Leistungs-MOSFET der Serie E von Vishay reduziert Schalt- und Leitungsverluste.
Low figure of merit (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
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