- RS Best.-Nr.:
- 228-2902
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR500DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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- SiR500DP-T1-RE3
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- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Vishay TrenchFET N-Kanal ist ein 30-V-MOSFET.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 350,8 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 |
Serie | TrenchFET |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 8 |
Drain-Source-Widerstand max. | 0,00047 Ω |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung max. | 2.2V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
Transistor-Werkstoff | Si |
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