Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 71.9 A 104 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

15,57 €

(ohne MwSt.)

18,53 €

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 5.940 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 453,114 €15,57 €
50 - 1202,65 €13,25 €
125 - 2452,492 €12,46 €
250 - 4952,34 €11,70 €
500 +2,028 €10,14 €

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
228-2910
Herst. Teile-Nr.:
SiR681DP-T1-RE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

71.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

11.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

69.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET P-Kanal ist ein 80-V-MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

Verwandte Links