Vishay TrenchFET SiR681DP-T1-RE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 71,9 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 228-2910
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR681DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Voraussichtlich ab 03.06.2025 verfügbar.
Nicht als Expresslieferung erhältlich
Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
2,296 €
(ohne MwSt.)
2,732 €
(inkl. MwSt.)
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,296 € | 11,48 € |
| 50 - 120 | 1,954 € | 9,77 € |
| 125 - 245 | 1,838 € | 9,19 € |
| 250 - 495 | 1,724 € | 8,62 € |
| 500 + | 1,494 € | 7,47 € |
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- RS Best.-Nr.:
- 228-2910
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR681DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Vishay TrenchFET P-Kanal ist ein 80-V-MOSFET.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 71,9 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 80 V |
| Serie | TrenchFET |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0112 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.6V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
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