Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 67.4 A 26.5 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH
- RS Best.-Nr.:
- 228-2929P
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSH536DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 228-2929P
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- SiSH536DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Serie | TrenchFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 30 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 67.4 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 26.5 W | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8SH | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 3.25 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 16 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 16.6 nC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Serie TrenchFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 30 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 67.4 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 26.5 W | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8SH | ||
Automobilstandard Nein | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 3.25 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 16 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 16.6 nC | ||
The Vishay N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.
100 % Rg and UIS tested