Vishay Doppelt TrenchFET N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 257 A 83 W, 8-Pin PowerPAIR 6 x 5F
- RS Best.-Nr.:
- 228-2941P
- Herst. Teile-Nr.:
- SiZF906BDT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 257A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAIR 6 x 5F | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0021Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 257A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAIR 6 x 5F | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0021Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay Dual N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET.
100 % Rg- und UIS-geprüft