Vishay SQSA70CENW Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 18 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 W
- RS Best.-Nr.:
- 228-2972P
- Herst. Teile-Nr.:
- SQSA70CENW-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | SQSA70CENW | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212-8 W | |
| Montageart | Leiterplattenmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 68.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 62.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.85V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 3.3mm | |
| Breite | 3.3mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie SQSA70CENW | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212-8 W | ||
Montageart Leiterplattenmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 68.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 62.5W | ||
Durchlassspannung Vf 0.85V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 3.3mm | ||
Breite 3.3mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET der Serie SQSA70CENW von Vishay, 150 V maximale Drain-Source-Spannung, 18 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - SQSA70CENW-T1_GE3
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Leistungsgerät, das für die Leiterplattenmontage in anspruchsvollen Automobil- und industriellen Steuerungsumgebungen entwickelt wurde. Er unterstützt Schalt- und Laststeuerungsrollen, bei denen eine erhöhte Drain-Source-Spannungskapazität und eine geringe Gate-Ladung erforderlich sind, und ist so konstruiert, dass er die Erwartungen an die Belastung im Automobil und die Anforderungen an die Oberflächenmontage erfüllt.
Merkmale und Vorteile:
• 150 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltleistung • 18 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine erhebliche Lastverarbeitung • 68,5 mΩ Rds(on) minimieren Leitungsverluste während des Betriebs • 8 nC-typische Gate-Ladung reduziert den Schaltenergie- und Antriebsbedarf • Die Verlustleistung von 62,5 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastung • Maximale Betriebstemperatur von 175 °C ermöglicht eine hohe Umgebungstemperatur
Anwendungen
• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule, die eine AEC‐Q101-Qualifikation erfordern • Ideal für DC/DC-Wandler in industriellen Automatisierungssystemen • Wird für die Schaltung von Motorsteuerungen in kompakten Elektronikbaugruppen verwendet • Kann für Batteriemanagement und Power-Path-Steuerkreise verwendet werden
Welche Befestigungsmethode ist für die Integration erforderlich?
Es wird als oberflächenmontiertes PowerPAK 1212-8W-Gehäuse für die Leiterplattenmontage geliefert, um kompakte Leiterplattenlayouts und eine automatisierte Platzierung zu erleichtern.
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten bei der Antriebsentwicklung beachtet werden?
Das Gerät darf nicht Gate-Source-Spannungen über 20 V ausgesetzt werden, um eine Überbelastung des Gate-Dielektrikums zu vermeiden.
Wie wirkt sich die Wärmeleistung auf die Kühlungsanforderungen aus?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 62,5 W und einer erhöhten Betriebshöhe von 175 °C sollten Platinen- und Kühlkörperstrategien so dimensioniert werden, dass die Sperrschichttemperaturen für den Dauerbetrieb innerhalb sicherer Grenzen bleiben.
Welchen Umgebungstemperaturbereich kann er tolerieren?
Er arbeitet in einem weiten Bereich von -55 °C bis 175 °C und ermöglicht den Einsatz sowohl bei Kaltstart als auch bei hoher Hitze.
Welche Eigenschaften tragen zur Reduzierung von Schaltverlusten bei?
Die Kombination aus einer Gate-Ladung von 8 nC und einem geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand trägt zu geringeren Schalt- und Leitungsverlusten in Hochfrequenzanwendungen bei.
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