Infineon F3L11MR12W2M1 N-Kanal, Schraub MOSFET-Modul 1200 V / 100 A AG-EASY2B
- RS Best.-Nr.:
- 228-6521
- Herst. Teile-Nr.:
- F3L11MR12W2M1B74BOMA1
- Marke:
- Infineon
Bestandsabfrage leider nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 228-6521
- Herst. Teile-Nr.:
- F3L11MR12W2M1B74BOMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 100 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 1200 V | |
| Serie | F3L11MR12W2M1 | |
| Gehäusegröße | AG-EASY2B | |
| Montage-Typ | Schraubmontage | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5.15V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 100 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 1200 V | ||
Serie F3L11MR12W2M1 | ||
Gehäusegröße AG-EASY2B | ||
Montage-Typ Schraubmontage | ||
Gate-Schwellenspannung max. 5.15V | ||
Der Infineon F3L11MR12W2M1 ist ein Siliziumkarbid-MOSFET-Modul. Dieses Modul hat 75 kW Leistung pro Modul in Energiespeichersystemen und kurze und saubere Kommutierungsschleifen. Das Modul hat ein hohes Maß an Freiheit für das Wechselrichterdesign.
Erhöhte Zwischenkreisspannung
Hohe Stromdichte
Tiefs witchende Verluste
Hohe Stromdichte
Tiefs witchende Verluste