Infineon IPP050N10NF2S N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 19.4 A 150 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 228-6549
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP050N10NF2SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
13,38 €
(ohne MwSt.)
15,92 €
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab 100,00 €
Auf Lager
- 895 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,676 € | 13,38 € |
| 25 - 45 | 2,41 € | 12,05 € |
| 50 - 120 | 2,252 € | 11,26 € |
| 125 - 245 | 2,112 € | 10,56 € |
| 250 + | 1,954 € | 9,77 € |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 228-6549
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP050N10NF2SAKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 19.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | IPP050N10NF2S | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 51nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.57mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.36mm | |
| Höhe | 9.45mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 19.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie IPP050N10NF2S | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.57mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.36mm | ||
Höhe 9.45mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon IPP050N10NF2S ist der N-Kanal-Leistungs-MOSFET. Die Drain-Quellspannung dieses Mosfet beträgt 100 V. Es unterstützt eine Vielzahl von Anwendungen und die Standard-Pinbelegung ermöglicht den Austausch per Drop-in. Dieses Mosfet hat eine erhöhte Strombelastbarkeit.
Optimiert für eine Vielzahl von Anwendungen
N-Kanal, normale
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Verwandte Links
- Infineon IPP050N10NF2S Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 150 V / 35 A TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon IPP040N08NF2S Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET / 84 A TO-220