Infineon ISC010N04NM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 40 A 150 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 228-6560
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC010N04NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 228-6560
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- ISC010N04NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | ISC010N04NM6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 83nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.35mm | |
| Länge | 6.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie ISC010N04NM6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 83nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.35mm | ||
Länge 6.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon ISC010N04NM6 ist ein OptiMOSTM 6-Power-MSOFET 40 V Normalpegel. Infineon bietet eine Referenzlösung für Anwendungen mit normalem Niveau wie batteriebetriebene Anwendungen, batteriebetriebene Werkzeuge, Batterie- und Niederspannungsantriebe. Ein höherer Vth für das Portfolio der normalen Ebene bedeutet, dass nur größere Gate-Spannungsspitzen ein unerwünschtes Einschalten verursachen würden.
N-Kanal-Verbesserungsmodus
Der Gate-Schwellenwert für Normalpegel beträgt typischerweise 2,3 V
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Sperrschichttemperatur
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