Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 36 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 229-1730
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF540ZSTRL
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 229-1730
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF540ZSTRL
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 36 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,0265 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Transistor-Werkstoff | Silicon | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 36 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße D2PAK (TO-263) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,0265 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Transistor-Werkstoff Silicon | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen. Diese Eigenschaften machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.
Es ist bleifrei
Er ist RoHS-konform
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