Infineon AUIRF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 6,9 A, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 229-1736
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF7313QTR
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
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- RS Best.-Nr.:
- 229-1736
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF7313QTR
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 6,9 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | AUIRF | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,023 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V | |
| Transistor-Werkstoff | Silicon | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 6,9 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie AUIRF | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,023 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3V | ||
Transistor-Werkstoff Silicon | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Der Zweikanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon in einem SO-8-Gehäuse ermöglicht wiederholte Lawinen bis zu Tjmax. Er hat eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und ist bleifrei.
Es ist RoHS-konform und AEC-zertifiziert
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C