Infineon AUIRL N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 229-1745
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRLR120NTRL
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 229-1745
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRLR120NTRL
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 10 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 100 V | |
| Serie | AUIRL | |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 0,185 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2V | |
| Transistor-Werkstoff | Silicon | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 10 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 100 V | ||
Serie AUIRL | ||
Gehäusegröße DPAK (TO-252) | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 0,185 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 2V | ||
Transistor-Werkstoff Silicon | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET Power bekannt ist, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in der Automobilindustrie und einer Vielzahl anderer Anwendungen.
Es ist bleifrei
Er ist RoHS-konform
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